特許

J-GLOBAL ID：200903008996640287

膜バイアス磁気センサ

発明者： 定井 禪 ,  柳生 耕一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057703
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258245
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 磁気センサにバイアス磁界をかける手段として硬磁性膜を用い、全体の小型化、特性の安定化を図る。【構成】 磁気センサの基板の裏側に貼り付けられた大きなフェライト磁石に替わり、磁気センサの表面の電気抵抗膜12と同じ平面上に、硬磁性の粉体を塗布固着した硬磁性膜15を設け、この硬磁性膜15に着磁することにより、バイアス磁界を得、磁気センサとする。

請求項（抜粋）：

平面上に磁気抵抗効果をもつ感磁エレメントを形成し、前記と同一の平面上の前記感磁エレメントの近傍の感磁エレメントと重ならない箇所に、前記感磁エレメントにバイアス磁界を加えるための硬磁性膜を硬磁性の粒子を塗布固着することにより形成し、その硬磁性膜を一定の方向に着磁した膜バイアス磁気センサ。