特許
J-GLOBAL ID：200903008998155734
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098805
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275452
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、作製工程を簡略化する、あるいは得られる薄膜トランジスタの凹凸を減らすことを目的とする。【構成】 ゲイト絶縁膜上の半導体領域に選択的に不純物ドープをおこない、よって、ソース、ドレイン、チャネル形成領域を形成する工程、およびそれをレーザーアニールする工程を有する作製方法、あるいは、半導体領域にレーザードーピング法によって選択的に不純物ドーピングをおこなう工程を有する作製方法。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にゲイト電極を有し、ゲイト電極を覆ってゲイト絶縁膜を有し、該ゲイト絶縁膜に密着してアモルファスもしくは多結晶の半導体被膜を有するMIS型半導体装置において、該半導体膜は、実質的に真性な領域とNまたはPの導電型を有する領域とを有することを特徴とする薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
