特許
J-GLOBAL ID：200903008999000025
マイクロ波集積回路基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132937
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327302
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 MICを形成した誘電体基板を補強するもう一方の誘電体基板の面に低周波回路を形成し、MICや低周波回路を一体化して固定できるようにし、組み立て作業の能率向上を図ったMIC基板を提供すること。【構成】 表面にマイクロ波集積回路のパタ-ン21が形成される第一の誘電体基板11の裏面に、接地用の金属箔13そして第二の誘電体基板14を設け、この第二の誘電体基板14の裏面に低周波回路のパタ-ン22を形成する。また前記第一の誘電体基板の表面や前記第二の誘電体基板の裏面に形成されたパタ-ンを前記金属箔と電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
表面にマイクロ波集積回路のパタ-ンが形成される第一の誘電体基板と、この第一の誘電体基板の裏面に接し、接地面となる金属箔と、この金属箔の前記第一の誘電体基板と反対側の面に表面が接する第二の誘電体基板と、この第二の誘電体基板の裏面に形成される低周波回路のパタ-ンと、前記第一および第二の誘電体基板に形成したスル-ホ-ルの内面に形成され、前記第一の誘電体基板の表面や前記第二の誘電体基板の裏面に形成されたパタ-ンを前記金属箔と電気的に接続する導電面とを具備したマイクロ波集積回路基板。
IPC (4件)：
H01P 1/00
, H01P 3/08
, H05K 1/02
, H05K 3/46
