特許
J-GLOBAL ID：200903009001876921
半導体装置とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-067059
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243092
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】 電界保持領域を一対の主電極間に有する縦型の半導体装置において、耐圧とオン抵抗(又はオン電圧)の間のトレードオフ関係を改善するとともに、リーク電流が低減された構造を提供すること。【解決手段】 半導体装置10は、複数の部分領域を有する電界保持領域28を備えている。その電界保持領域28は、第1電界保持部分領域24と、非空乏化部分領域25と、第2電界保持部分領域26を備えている。第1電界保持部分領域と第2電界保持部分領域は、SJ構造を有している。非空乏化部分領域25は、半導体装置10がオフしたときに、実質的に完全空乏化されない領域である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
オフしたときに空乏層が形成される電界保持領域を一対の主電極間に有する縦型の半導体装置であり、
前記電界保持領域は、
第1電界保持部分領域と、
その第1電界保持部分領域上に形成されている非空乏化部分領域と、
その非電界保持部分領域上に形成されている第2電界保持部分領域を備えており、
第1電界保持部分領域は、第1導電型の不純物を含む第1部分領域と、第2導電型の不純物を含む第2部分領域を備えており、その第1部分領域と第2部分領域の組合せは、一対の主電極を結ぶ方向に直交する面内において、少なくとも一方方向に繰返し形成されており、
非空乏化部分領域は、第1導電型の不純物を含む第3部分領域と、第2導電型の不純物を含む第4部分領域を備えており、その第3部分領域に含まれるキャリア量と第4部分領域に含まれるキャリア量は、オフしたときに第3部分領域と第4部分領域が実質的に完全空乏化されない条件に設定されており、
第2電界保持部分領域は、第1導電型の不純物を含む第5部分領域と、第2導電型の不純物を含む第6部分領域を備えており、その第5部分領域と第6部分領域の組合せは、一対の主電極を結ぶ方向に直交する面内において、少なくとも一方方向に繰返し形成されており、
第1部分領域と第5部分領域は、第3部分領域を介して接しており、
第2部分領域と第6部分領域は、第4部分領域を介して接している半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658E
