特許

J-GLOBAL ID：200903009002290386

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 新井 肇
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239582
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087539
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲート電極への電子の注入およびフローティングゲート電極からの電子の引抜きが容易でありかつデータが揮発しにくい不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、シリコン基板1と、シリコン基板1上にシリコン酸化膜3を介在させて形成したフローティングゲート電極4と、フローティングゲート電極4の一部分の上に層間絶縁膜5を介在させて形成したコントロールゲート電極6と、フローティングゲート電極4の他の部分の上に絶縁膜を介在させて形成した消去電極9とを備える。絶縁膜はシリコン窒化膜5bとシリコン酸化膜5aとを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に第1の絶縁膜を介在させて形成したフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極の一部分の上に第2の絶縁膜を介在させて形成したコントロールゲート電極と、前記フローティングゲート電極の他の部分の上に第3の絶縁膜を介在させて形成した消去電極とを備え、前記第3の絶縁膜はシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを含む、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434