特許

J-GLOBAL ID：200903009006189183

有機金属気相成長装置およびそれを用いた有機金属気相成長法

発明者： 池田 正清 ,  服部 聡 ,  中井 昭暢
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138353
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329980
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル結晶成長層におけるキャリア濃度の均一性確保と組成の均一性確保の両立を可能にするMOVPE装置とMOVPE法を提供する。【解決手段】 この装置は、基板3が配置されたサセプタ2を有し、基板の表面3aおよびサセプタの表面2aと平行または略平行に反応ガスが流れ、サセプタ2の上流側には、サセプタの表面を含む平面と平行または略平行に設けられた隔壁部5aを介して互いに独立する複数個のガス流路5,6がサセプタの表面を含む平面と平行して配設され、サセプタの表面を含む平面に最も近い位置に配設されたガス流路5のガス流出口5Aはサセプタの上流側端部2Aに位置し、またサセプタの表面を含む平面から最も遠い位置に配設されたガス流路6のガス流出口6Aは基板の上流側端部3Aよりも10〜30mm上流側に位置しているMOVPE装置である。

請求項（抜粋）：

基板が配置されたサセプタを有し、前記基板の表面および前記サセプタの表面と平行または略平行に反応ガスが流れる有機金属気相成長装置において、前記サセプタの上流側には、前記サセプタの表面を含む平面と平行または略平行に設けられた隔壁部を介して互いに独立する複数個のガス流路が前記サセプタの表面を含む平面と平行して配設され、前記サセプタの表面を含む平面に最も近い位置に配設されたガス流路のガス流出口は前記サセプタの上流側端部に位置し、また前記サセプタの表面を含む平面から最も遠い位置に配設されたガス流路のガス流出口は前記基板の上流側端部よりも10〜30mm上流側に位置していることを特徴とする有機金属気相成長装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H