誘電体薄膜キャパシタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312871
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085812
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】基板、密着層、誘電体層、上部電極からなる誘電体薄膜キャパシタであって、キャパシタ特性に悪影響を与えず、かつ製造コストの低廉な密着層を備える誘電体薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】本発明の誘電体薄膜キャパシタは、基板10、密着層20、下部電極30、誘電体層40、上部電極51,52とからなり、密着層20と誘電体層40とは、同一組成系の材料、あるいは同一の材料からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された密着層と、該密着層上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極と、からなる誘電体薄膜キャパシタであって、前記密着層は、前記誘電体層と同一組成系の材料からなることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L21/8242 , H01G4/008 , H01G4/33 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/108

FI (4件)：

H01L27/10 651 , H01G4/06 102 , H01G1/01 , H01L27/04 C

Fターム (23件)：

5E082AA20 , 5E082AB10 , 5E082BB02 , 5E082BB10 , 5E082BC33 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG26 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5E082MM24 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083PR23 , 5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

キャパシタを有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207033 出願人：富士通株式会社

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