特許

J-GLOBAL ID：200903009016681272

電界効果型トランジスタ

発明者： 西林 良樹 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柴田 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180899
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029610
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 特性を向上するために、ゲート電極と動作層の間の介在層が薄くてもリーク電流の少ないFETを提供する。【構成】 動作層12がp型の半導体ダイヤモンドからできており、窒素、リン、硫黄、ヒ素、塩素、ケイ素およびゲルマニウムからなる群から選択された少なくとも1種の元素を1015〜1021cm-3の量で含有しているダイヤモンドからなる介在層13をゲート電極15と動作層12の間に挟んだ構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

請求項（抜粋）：

動作層がp型の半導体ダイヤモンドからできており、窒素、リン、硫黄、ヒ素、塩素、ケイ素、ゲルマニウムおよびリチウムからなる群から選択された少なくとも1種の元素を1015〜1021cm-3の量で含有しているダイヤモンドからなる介在層をゲート電極と動作層の間に挟んだ構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 311 B