特許
J-GLOBAL ID:200903009016706607

フッ化不働態膜を形成した工業材料およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中尾 俊輔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-026214
公開番号(公開出願番号):特開平5-302177
出願日: 1991年02月20日
公開日(公表日): 1993年11月16日
要約:
【要約】[目的] 金属ならびにプラスチック材料においては、腐食性ガスに対する耐食性を著しく向上させることができ、また、プラスチック、セラミックス等の金属以外の材料においては、表面からのガス放出を確実に防止したり、導電性を得ることができ、特に、半導体製造の分野において有効なフッ化不働態膜を形成すること。[構成] 基材の表面に、ニッケルとそのフッ化物が揮発性の化合物となる他の金属あるいは半金属を含むニッケル合金薄膜を形成し、前記合金薄膜の少なくとも表面に前記他の金属あるいは半金属を含まないほぼ化学量論比を満足するニッケルのフッ化不働態膜を形成することにより、他の金属または半金属の存在によりきわめて安定したニッケル合金薄膜を形成し、また、前記他の金属または半金属の存在によりフッ化不働態膜を厚膜に形成するようにしたもの。
請求項(抜粋):
基材の表面に、ニッケルとそのフッ化物が揮発性の化合物となる他の金属あるいは半金属を含むニッケル合金薄膜を形成し、前記合金薄膜の少なくとも表面に前記他の金属あるいは半金属を含まないほぼ化学量論比を満足するニッケルのフッ化不働態膜を形成したことを特徴とする工業材料。
IPC (7件):
C23C 28/00 ,  C23C 8/02 ,  C23C 8/08 ,  C23C 18/36 ,  C23F 15/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

前のページに戻る