特許

J-GLOBAL ID：200903009019920189

シリコン基体及び多孔質シリコンの形成方法及び半導体基体

発明者： 玄地 裕
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039388
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249583
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 多孔質を形成するためのシリコン基体を、高品質、低コストで容易に提供し、高品質で、任意の不純物濃度の多孔質シリコンを高歩留りで得る。【構成】 多孔質シリコンを形成するP型シリコン基体101において、前記シリコン基体101の前記多孔質シリコンを形成する表面側に、該基体裏面側のP型不純物濃度よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層102が形成されていることを特徴とするシリコン基体。また、シリコン基体101表面に、該基体101裏面よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層102を形成する工程と、前記シリコン基体101表面に陽極処理により多孔質シリコン103を生成する工程と、を有することを特徴とする多孔質シリコンの形成方法。

請求項（抜粋）：

多孔質シリコンを形成するP型シリコン基体において、前記シリコン基体の前記多孔質シリコンを形成する表面側に、該基体裏面側のP型不純物濃度よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層が形成されていることを特徴とするシリコン基体。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C25D 11/34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-097981
  
• 特開昭51-097378