特許
J-GLOBAL ID:200903009022452633
モノリシック・マイクロ波集積回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大胡 典夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-341638
公開番号(公開出願番号):特開平5-175431
出願日: 1991年12月25日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 MMICにおけるバイアス抵抗の小形化をはかり、再現性、制御性に優れ、小形化されたMMICを構成する。【構成】 半絶縁性化合物半導体基板上に少なくとも一つの電界効果トランジスタと、P型半導体層で形成した抵抗からなるバイアス回路とを具備することを特徴とするモノリシック・マイクロ波集積回路。
請求項(抜粋):
半絶縁性化合物半導体基板上に少なくとも一つの電界効果トランジスタと、P型半導体層で形成した抵抗からなるバイアス回路とを具備することを特徴とするモノリシック・マイクロ波集積回路。
IPC (2件):
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