特許

J-GLOBAL ID：200903009023717975

不揮発性半導体記憶装置とその書き込み特性回復方法

発明者： 小山 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-291556
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122091
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMにおいて、書き込み/消去を繰り返すことによるトンネル酸化膜の劣化を修復してメモリの長寿命化を図る。【構成】 シリコン基板1を接地し、ドレイン領域7に電源電圧VCC(5V)を、制御ゲート5に高電圧VPP(10V)を印加して、トンネルゲート電極2に電圧ストレスをかけ、酸化膜2中にトラップされていた電子を浮遊ゲート3へ引き抜く。

請求項（抜粋）：

ソース領域およびドレイン領域を有し、それらの領域間のチャネル領域上に、第1のゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2のゲート絶縁膜および制御ゲート電極がこの順に積層された構造を有する電気的消去が可能なメモリセルを複数個備え、書き込みモード、読み出しモード、消去モードおよびストレス印加モードにて動作可能な不揮発性半導体記憶装置であって、ストレス印加モード時においては、チャネル電流が流れない状態にて前記第1のゲート絶縁膜に電圧ストレスを印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 530 B ,  G11C 17/00 309 F ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-023496
  
• 特開平2-223097