特許
J-GLOBAL ID:200903009026853691
乱層構造窒化ホウ素(βtBN)の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-209671
公開番号(公開出願番号):特開平11-035308
出願日: 1997年07月18日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】【課題】潤滑材、離型材、耐食性被服材、焼結体製造原料、高圧相合成原料、層間化物合成原料等の用途を有する乱層構造窒化ほう素の製造法を提供することを目的とする。【解決手段】窒化ホウ素合成原料または窒化ホウ素前駆体を還元性条件下で1700°C以上、2250°C以下に加熱することを特徴とする、層面間隔0.346nm±3nm、銅Kα線によるX線回折の乱層構造10回折線の2θ角が41.9±0.3°である乱層構造窒化ホウ素(βtBN)の製造方法である。
請求項(抜粋):
窒化ホウ素合成原料または窒化ホウ素前駆体を還元性条件下で1700°C以上、2250°C以下に加熱することを特徴とする、層面間隔0.346nm±3nm、銅Kα線によるX線回折の乱層構造10回折線の2θ角が41.9±0.3°である乱層構造窒化ホウ素(βtBN)の製造方法。
FI (2件):
C01B 21/064 H
, C01B 21/064 M
引用特許:
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