特許

J-GLOBAL ID：200903009027470699

半導体ウェハの成形加工方法

発明者： アルツール エントレス ,  カール-ハインツ アイゼンリート ,  ジユリアーノ マルチネリ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  シーメンス、ソーラー、ゲゼルシヤフト、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321363
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 結晶シリコンからなる半導体ウェハ及び特に太陽電池を破損することなく、強く湾曲した表面に施し、それに所望の形を与える簡単な方法を提供する。【構成】 薄い半導体ウェハ1を成形加工するために、半導体ウェハ1に加工前に全面的に機械的保護層2を施す。

請求項（抜粋）：

薄い半導体ウェハ(1)に加工前に全面的に機械的保護層(2)を施すことを特徴とする半導体ウェハの成形加工方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-188818
  
• 特開昭63-228733
  
• 特開昭64-025487
  
• 特開平4-192474
  
• 特開平4-188818
  
• 特開昭63-228733
  
• 特開昭64-025487
  
• 特開平4-192474
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of stable dislocation-free 3-grain silicon ingots for thinner slicing