特許

J-GLOBAL ID：200903009028183243

高純度チタン材の製造方法

発明者： 小田桐 昌宏
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052429
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258765
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】クロール法で製造されたスポンジチタンから、LSI用配線材料の素子用薄膜として優れた特性を発揮する高純度チタン材の製造方法を提供する。【構成】(1) クロール法で製造されたスポンジチタンの円筒状バッチの底部から厚さがバッチ高さの25%以上の部分と頂部から厚さがバッチ高さの10%以上の部分とを切断除去し、かつバッチの円周部から厚さがバッチ直径の20%以上の円周部分を切断除去してのち、前記バッチ重量の20%未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径10〜 300mmに、さらに好ましくは粒径 200〜 300mmに切断したのち消耗電極に圧縮成形することを特徴とする高純度チタン材の製造方法。(2) 組成が酸素含有量:300ppm以下、Fe、Ni、Cr、Al、Siの各元素の含有量:10ppm 以下であることを特徴とする高純度チタン材の製造方法。

請求項（抜粋）：

クロール法で製造されたスポンジチタンの円筒状バッチの底部から厚さがバッチ高さの25%以上の部分と頂部から厚さがバッチ高さの10%以上の部分とを切断除去し、かつバッチの円周部から厚さがバッチ直径の20%以上の円周部分を切断除去してのち、前記バッチ重量の20%未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径10〜 300mmに切断したのち消耗電極に圧縮成形することを特徴とする高純度チタン材の製造方法。