特許

J-GLOBAL ID：200903009030280400

CVD装置およびCVD方法

発明者： 冷水 勇
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197531
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041251
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 CVD膜の堆積によるパーティクル発生を防止し、理論収率を向上させるCVD装置およびCVD方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21に層間絶縁膜22、TiN膜23を堆積した半導体ウェハ3を載置するサセプタ8の半導体ウェハ3周縁部下方に、パージガス吹き出し部32を設け、このパージガス吹き出し部32から放出されるパージガスの流れを、半導体ウェハ3の中央上方に向けさせるガイドリング30を半導体ウェハ3周縁部の周囲に設けたCVD装置により、ブランケットW膜24を堆積する。【効果】 半導体装置の製造歩留向上および理論収率向上が可能になる。

請求項（抜粋）：

反応容器内に、被処理基板を載置して加熱するサセプタと、反応ガス放出部とを有するCVD装置において、前記サセプタに載置された前記被処理基板の周縁部下方にパージガス吹き出し部を設け、前記被処理基板の周縁部での、前記パージガス吹き出し部からのパージガスの流れを前記被処理基板処理面の中央上方に向けるためのガイドリングを前記被処理基板周縁部の周囲に設置したことを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205