特許
J-GLOBAL ID：200903009031836452
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205290
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047866
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】良好な放熱特性を確保するとともに半導体装置の小型化を可能とする。【解決手段】誘電体層11a〜11cと導体層12a〜12dとを有する多層基板の側面に、内部導体層である導体層12bと多層基板の裏面に形成された導体層12dとに熱的および電気的に接続される基板側面導電部20が形成される。半導体素子3の裏面が、キャビティ21から露出する導体層12bにダイボンディングされる。半導体素子3が放出する熱は、熱伝導経路30として導体層12bおよび基板側面導電部20を経て導体層12dの放熱部に伝導される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層および複数の導体層を有する多層基板、および、
前記多層基板に実装された半導体素子、
を具備し、
前記半導体素子の裏面と前記多層基板の前記複数の導体層のうちの第1の導体層とが熱的および電気的に接続され、前記多層基板の側面には前記第1の導体層と熱的および電気的に接続される側面導体部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 L
, H01L25/00 B
