特許

J-GLOBAL ID：200903009036181306

基板を異方性プラズマエッチングする方法および装置、および電子部品またはセンサー素子

発明者： フランツ レルマー ,  アンドレア シルプ
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-113057
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349784
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】 基板へ向かって加速されたイオンを用いて基板表面を取り去る基板の異方性プラズマエッチング方法において、処理室(12)中でハロゲンまたはハロゲン化合物を含有するエッチングガス(40)と、ポリマー形成するモノマーを含有するパッシブガス(40)とを導入し、エネルギー入射装置(24)により励起させ、基板(20)または基板(20)を収容している電極(16)に、イオンが基板(20)上に当たる際に1〜40eVのエネルギーを示すような電圧を印加することを特徴とする基板を異方性プラズマエッチングする方法。【効果】 高いマスク選択性、高いエッチング速度およびマスクのアンダーカットのないエッチングのほぼ完璧な異方性が達成される。

請求項（抜粋）：

基板へ向かって加速されたイオンを用いて基板表面を取り去る基板の異方性プラズマエッチング方法において、処理室(12)中でハロゲンまたはハロゲン化合物を含有するエッチングガス(40)と、ポリマー形成するモノマーを含有するパッシブガス(40)とを導入し、エネルギー入射装置(24)により励起させ、基板(20)または基板(20)を収容している電極(16)に、イオンが基板(20)上に当たる際に1〜40eVのエネルギーを示すような電圧を印加することを特徴とする基板を異方性プラズマエッチングする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-012915
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271430   出願人：日本電装株式会社
• 特開平2-012915