特許

J-GLOBAL ID：200903009039116793

位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法

発明者： 山口 弘高
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226964
公開番号（公開出願番号）：特開2006-047571
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 比較的低コストで微細なラインパターンを形成することが可能な位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法を提供する。【解決手段】 本発明のマスクパターン10は、フォトリソグラフィ・プロセスの中でラインパターンを露光するために用いられる。マスクパターン10は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Wで取り囲む周辺領域12との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域11に分割される。各単位領域11の中央には、光の位相を反転させる第一の位相シフタ部21が、各単位領域11の中心点に対して軸対称に、且つ各単位領域11の面積の50%を占めるように、それぞれ形成される。周辺領域12にも、その全体に、光の位相を反転させる第二の位相シフタ部22が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に回路パターンを形成する際にフォトリソグラフィ・プロセス中で使用される位相シフトマスクであって、 ラインパターンを露光するための帯状のマスクパターンを、その中心線上に伸びる中央領域と、中央領域の周囲を一定の幅で取り囲む周辺領域との、二つの領域に分割し、更に中央領域を、前記中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形状の複数の単位領域に分割し、 各単位領域の中央に、光の位相を反転させる第一の位相シフタ部を、各単位領域の中心点に対して軸対称に、且つ各単位領域の面積の50%±10%を占めるように、それぞれ形成し、 周辺領域の全体に、光の位相を反転させる第二の位相シフタ部を形成したことを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 D ,  H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC24