特許
J-GLOBAL ID：200903009050862391
露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297388
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程の露光用に設計されたマスクパターンの近傍にコンピュータを用いて自動的に所定の条件の補助パターンを発生させる方法を提供する。【解決手段】 設計されたマスクパターン(設計パターン)の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生させる手順と、設計パターンの外側に、予め設定された幅で補助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、補助パターンの配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して補助パターンを更新する手順と、補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新する手順とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程の露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法であって、設計された前記マスクパターン(設計パターン)の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生させる手順と、前記設計パターンの外側に、予め設定された幅で前記補助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、前記補助パターンの前記配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して前記補助パターンを更新する手順と、前記補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、前記補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新する手順と、を有することを特徴とする補助パターン自動発生方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G06T 7/00
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G06F 15/62 405 Z
, H01L 21/30 502 P
