特許

J-GLOBAL ID：200903009051239353

昇圧電圧調整回路

発明者： 信方 浩美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218484
公開番号（公開出願番号）：特開平6-043952
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 ツェナーダイオードのイオン注入条件やトンネル酸化膜の膜厚のバラツキがあっても、そのバラツキを吸収して最良の設定が可能な昇圧電圧調整回路を提供する。【構成】 ウエハ状態でのチップ毎の選別時又は最終選別時に、不揮発性のメモリセルM1 〜M4 の書込み試験後のVthを測定し、その測定Vth分布に基づいてメモリセルM1 〜M4 をプログラムし、そのプログラム内容に応じてスイッチ用トランジスタTr1 〜Tr4 をオン/オフ制御して、ツェナーダイオードZD1〜ZD3 およびMOSダイオードMD1 〜MD4 によって決まる電圧レベルにクランプされた昇圧電圧VPPを微調整する。

請求項（抜粋）：

単一電源で動作する不揮発性メモリ装置において、その内部電圧を昇圧回路で昇圧して得られる昇圧電圧を調整して所定の電圧レベルに設定する昇圧電圧調整回路であって、前記昇圧回路の出力端にカソードが接続された少なくとも1個のツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードに対して直列に接続された複数個のMOSダイオードと、前記複数個のMOSダイオードの各々に対応して設けられたプログラム可能な複数個の不揮発性メモリセルと、前記複数個のMOSダイオードの各アノードと基準電位点の間に接続されかつ前記複数個の不揮発性メモリセルのプログラム内容に応じてオン/オフ動作する複数個のスイッチ素子とを備えたことを特徴とする昇圧電圧調整回路。

IPC (4件)：

G05F 3/18 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 ,  H02J 1/00 306