特許

J-GLOBAL ID：200903009053523881

プローブの製造方法およびそれに用いられる回路基板

発明者： 高山 嘉也 ,  宗 和範 ,  三宅 清 ,  矢田 寛
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064356
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260430
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 電解めっき法で形成されたバンプ接点でありながら、高さのばらつきがより抑制されたバンプ接点を有するプローブの製造方法とそれに用いられる回路基板を提供すること。【解決手段】 プローブを製造するに際し、高さを制御すべきバンプ接点2aが形成される貫通孔4aの開口面積を、もとの開口形状に対して相似的に増減することによって、そのバンプ接点2aの高さを制御する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一方の面に導電性回路を設け、該絶縁性基板の他方の面のバンプ接点を形成すべき位置に絶縁性基板に対する貫通孔を設けてその内部に導電性回路を露出させ、この露出した導電性回路を陰極とし、電解めっき法によって貫通孔内に金属を充填しさらに突起させてバンプ接点を形成するに際し、高さを制御すべきバンプ接点が形成される貫通孔の開口面積を、もとの開口形状と相似形となるように増大または減少させて、前記電解めっき法によるバンプ接点の形成を行なうことを特徴とするプローブの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  G01R 1/06 ,  H05K 1/02

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  G01R 1/06 F ,  H05K 1/02 C