特許

J-GLOBAL ID：200903009054338832

RF集積回路用の絶縁膜上シリコン・ウェハ

発明者： ファティミュラ,モハメッド・エイ ,  トーマス,キーサー
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  西山 文俊
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-518202
公開番号（公開出願番号）：特表2005-532679
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

RF半導体デバイスは、ポリシリコンハンドルウェハ、このポリシリコンハンドルウェハ上の埋込み酸化膜層、およびこの酸化膜層上のシリコン層を備える開始基板から製造される。

請求項（抜粋）：

高抵抗率ポリシリコンハンドルウェハと、 前記ポリシリコンハンドルウェハ上の埋込み酸化膜層と、 前記埋込み酸化膜層上のシリコン層と を備えるRF半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786

FI (6件)：

H01L27/12 H ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/76 D ,  H01L21/265 J

Fターム (25件)：

5F032AA91 ,  5F032CA11 ,  5F032CA14 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA12 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F110AA21 ,  5F110BB20 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110NN71