特許
J-GLOBAL ID：200903009055371531
薄膜を有する基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327229
公開番号（公開出願番号）：特開2008-138268
出願日： 2006年12月04日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】薄膜と基板における密着性、光学特性、生産性に優れ、各種機能を有する薄膜付きの基板を提供すること。【解決手段】少なくとも以下の(ア)〜(ウ)を有する薄膜形成装置を用いて、基板上にスパッタリング手段により蒸着膜を形成後、該蒸着膜とプラズマ発生手段により発生させたプラズマとを反応させて薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂(a)及び脂肪族ポリエステル系樹脂(b)を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法; (ア)基板搬送手段、 (イ)基板搬送手段の周辺に沿って設けられたスパッタリング手段、 (ウ)基板搬送手段の周辺に沿って、スパッタリング手段から離間して設けられた、プラズマ発生手段。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも以下の(ア)〜(ウ)を有する薄膜形成装置を用いて、基板上にスパッタリング手段により蒸着膜を形成後、該蒸着膜とプラズマ発生手段により発生させたプラズマとを反応させて薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂(a)及び脂肪族ポリエステル系樹脂(b)を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法;
(ア)基板搬送手段、
(イ)基板搬送手段の周辺に沿って設けられたスパッタリング手段、
(ウ)基板搬送手段の周辺に沿って、スパッタリング手段から離間して設けられた、プラズマ発生手段。
IPC (3件)：
C23C 14/58
, C23C 14/06
, G02B 1/11
C23C14/58 Z
, C23C14/06 P
, G02B1/10 A
2K009AA02
, 2K009BB14
, 2K009BB24
, 2K009CC02
, 2K009CC03
, 2K009DD04
, 2K009DD09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029AA25
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA05
, 4K029DC02
, 4K029DC03
, 4K029DC05
, 4K029DC16
, 4K029GA02
, 4K029JA02
, 4K029JA10
, 4K029KA03
