特許
J-GLOBAL ID:200903009058532722

高熱伝導ペースト半田および半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-152359
公開番号(公開出願番号):特開平9-330941
出願日: 1996年06月13日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】【課題】ペースト半田の熱伝導および電気抵抗を改善するとともに機械的強度の向上を図る。【解決手段】熱伝導度および電気抵抗が比較的低い半田材料が用いられたペースト半田11に、熱伝導度および電気抵抗が比較的高い粒状の金属12を練り込んで高熱伝導ペースト半田として仕上げる。
請求項(抜粋):
熱伝導度および電気抵抗が比較的低い半田材料が用いられたペースト半田と、前記ペースト半田に練り込まれた熱伝導度および電気抵抗が比較的高い粒状の金属とを具備することを特徴とする高熱伝導ペースト半田。
IPC (2件):
H01L 21/52 ,  B23K 35/22 310
FI (3件):
H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B ,  B23K 35/22 310 A

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