特許

J-GLOBAL ID：200903009062808236

誘電体分離IC

発明者： 山口 好広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008267
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 誘電体分離半導体基板の活性層の厚さを薄くした場合においても、すなわち回路の高速動作化等を図った場合においても、 pnpトランジスタを正常動作させることを可能にすることによって、正常な回路特性を安定して得られるようにした誘電体分離ICを提供する。【構成】 中間酸化絶縁層12を有する誘電体分離半導体基板14の上部半導体層13に、 pnpトランジスタを含む半導体素子を設けた誘電体分離ICにおいて、 pnpトランジスタ15として縦型の素子構造を適用する。すなわち、上部半導体層(活性層)13に、選択的に p型コレクタ層17を設け、この p型コレクタ層17の表面から選択的に n型ベース層18を形成し、さらに n型ベース層18の表面から選択的に p型エミッタ層19を形成する。

請求項（抜粋）：

中間に絶縁層を有する誘電体分離半導体基板と、前記誘電体分離半導体基板における前記絶縁層の上部に位置する半導体層に設けられた pnpトランジスタを含む半導体素子とを具備する誘電体分離ICにおいて、前記 pnpトランジスタとして、縦型 pnpトランジスタを用いたことを特徴とする誘電体分離IC。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/76 D