特許
J-GLOBAL ID：200903009065970077
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326550
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】ゲート絶縁層または保護層を、内部応力を低減した六方晶窒化シリコン(β相)を主体とした物質で構成し、加えて酸化シリコンクラスタの局在を抑制することで、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの特性向上を図ると共に、それらを実現することのできるプラズマCVD成膜装置を提供する。【構成】絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁層3または保護層9に用いられるアモルファス窒化シリコンを、高温型の六方晶(β相)を主体とすることで内部応力を低減する。窒化シリコンの形成にはプラズマCVD法、特に電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマCVD法が有効であり、CVD時に基板を室温以下の温度に冷却し、急冷によりβ相を凍結し、α相(低温型三方晶)への構造相転移を抑制する。【効果】構造相転移に伴う体積、構造変化に起因する内部応力の抑制が可能になる。
請求項（抜粋）：
少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層がβ相となる六方晶窒化シリコンを少なくとも90%含有する窒化シリコンで構成されて成る絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/318
