特許

J-GLOBAL ID：200903009070646717

メモリセル用キャパシタの製作方法及び基板処理装置

発明者： 酒井 純朗
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377497
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200883
出願日： 1998年12月30日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 DCバイアス印加時の容量低下、TDDB特性の悪さ及びTa2O5膜と組み合わせた際の問題等のHSGが抱える諸課題を解決する。【解決手段】 清浄な燐添加アモルファスシリコン薄膜を真空中で加熱しながらその表面にSi2H6ガスを供給して結晶核を形成し、その後530°C〜650°Cでアニール処理をして半球状の結晶粒群であるHSGを形成する。この後、Si2H6とPH3 の混合ガスをHSGの表面に供給して別の燐添加アモルファスシリコン薄膜909を作成し、その上にSiNO膜又はTa2O5膜を誘電体膜として作成する。別の燐添加アモルファスシリコン膜909から燐がHSGに拡散して燐濃度を高めるとともに、HSGの各グレイン904間のくぼみ凹部905を埋める。

請求項（抜粋）：

二つの電極の間に誘電体層を介在させた構造のメモリセル用キャパシタを製作する方法であって、表面が清浄化された燐添加アモルファスシリコン薄膜を真空雰囲気又は酸化物質の存在しない雰囲気で所定の温度に加熱しながらその燐添加アモルファスシリコン薄膜の表面に所定量のシリコン水素化合物ガスを供給し、引き続いてその燐添加アモルファスシリコン薄膜を530°C〜650°Cでアニール処理をして、半球状の結晶粒群であるHSGを形成する第一の工程と、この第一の工程の後、シリコン水素化合物ガスと燐化合物ガスとを混合してHSGの表面に供給してHSGの表面に別の燐添加シリコン膜を作成する第二の工程とを含むプロセスによって前記二つの電極のうちの一方の電極を形成することを特徴とするメモリセル用キャパシタの製作方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (8件)：

5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA09 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33