特許

J-GLOBAL ID：200903009080691915

カルコパイライト薄膜の作製方法

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  古曳 重美 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029361
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 カルコパイライト薄膜の作製方法に関し、成分元素が化学量論比となる組成を有しかつpn伝導形及びキャリア密度を制御することが可能なカルコパイライト薄膜の作製法を提供する。【構成】 基板上に真空蒸着法あるいはスパッタ蒸着法によりカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、同時にイオン源5によって生成したイオン・ビームを照射してカルコパイライト薄膜を作製する。または、作製したカルコパイライト薄膜あるいは結晶にイオン注入を行う。

請求項（抜粋）：

結晶または非晶質基板あるいは結晶または非晶質薄膜あるいは金属薄膜上の所定領域に、真空蒸着法あるいはスパッタ蒸着法によりカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、同時にイオン・ビームを照射することを特徴とするカルコパイライト薄膜の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/425 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00