特許
J-GLOBAL ID：200903009081373780
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062484
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 書込時における書込電流のピークの抑制および電流の抑制を図る。【構成】 複数の不揮発性メモリセルをアレイ状に配置し、各メモリセルを選択するXデコーダおよびYデコーダと、選択されたメモリセルに書込電圧を印加する複数の書込トランジスタと、書込トランジスタがONし始めるタイミングを異ならせる遅延回路とを設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項（抜粋）：
各々が情報を不揮発的に記憶する複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを備えた複数ビット構成の不揮発性半導体記憶装置であって、与えられるアドレス信号に応答して、前記複数ビットのメモリセルを選択する手段と、前記選択された複数ビットのメモリセルに情報を書込むための書込電圧を供給する複数の書込電圧供給手段と、前記複数の書込電圧供給手段のうちの所定数の書込電圧供給手段と残りの書込電圧供給手段との書込電圧の供給タイミングを異ならせる書込タイミング制御手段とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, G06F 1/00 332 A
