特許

J-GLOBAL ID：200903009088861437

半導体装置

発明者： 梶原 信之 ,  渡辺 修治 ,  大工 博 ,  須藤 元 ,  伊藤 雄一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036966
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に関し、互いに熱膨張率の異なる半導体基板に半導体素子を形成し、該素子同志を金属バンプで接続した装置に於いて、動作時の液体窒素温度より非動作時の室温の雰囲気に両者の基板を設置した場合でも、金属バンプ間の位置ずれを無くすことを目的とする。【構成】 第1の半導体基板1に形成された光検知素子2と、第2の半導体基板4に形成され、該光検知素子2で得られた検知信号を信号処理する信号処理素子5とを、電極、或いはフォトカプラを用いて電気的、或いは光学的に結合して成るハイブリッド型半導体装置に於いて、前記第1および第2の半導体基板1,4 を薄層化し、該薄層化せる第1および第2の半導体基板1,4 を、支持基板21,31 に接着したことで構成する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板(1) に形成された光検知素子(2)と、第2の半導体基板(4) に形成され、該光検知素子(2) で得られた検知信号を信号処理する信号処理素子(5) とを、電極、或いはフォトカプラを用いて電気的、或いは光学的に結合して成るハイブリッド型半導体装置に於いて、前記第1、或いは第2、或いは第1および第2の半導体基板(1,4) を薄層化し、該薄層化せる第1、或いは第2、或いは第1および第2の半導体基板(1,4) を、支持基板(21,31) に接着したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/339 ,  H01L 29/796 ,  H01L 31/0264

FI (4件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 21/92 C ,  H01L 29/76 301 A ,  H01L 31/08 N