特許
J-GLOBAL ID：200903009093761254
トンネル磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気センサー、磁気ヘッド及び磁気メモリー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068096
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266043
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 外部回路とのインピーダンス整合が取れ、素子間の特性のばらつきが低減された、トンネル接合型磁気抵抗効果を得る。【解決手段】 MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)のゲートに磁性体を用い、この磁性体ゲート電極に、磁性体とのトンネル接合、及び、非磁性体とのトンネル接合を、磁性体ゲート電極表面上の異なる2カ所で形成し、これら二つのトンネル接合を介して該磁性体ゲート電極のバイアスを行い、外部磁界の変化に追従して該磁性体ゲート電極電位が変化することを利用し、該MOS型電界効果トランジスタのドレイン電流を変化させて、磁気センサーとした。【効果】 TMR素子と外部回路とのインピーダンス整合が取れ、素子間の特性ばらつきが低減された、高感度のトンネル接合型磁気抵抗効果素子が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に、ソース領域、ドレイン領域及びゲート絶縁膜を有し、該ゲート絶縁膜上に、第一の磁性体膜からなるゲート電極を設けた電界効果トランジスタ素子において、前記第一の磁性体膜上の一部にトンネル接合膜を介して積層された第二の磁性体膜を有し、かつ、該第一の磁性体膜上の他の一部に前記トンネル接合膜を介して積層された第三の磁性体膜とを有する磁気抵抗効果素子の、前記第一の磁性体膜と前記第二の磁性体膜の間のトンネル電流には正のトンネル磁気抵抗効果が発生し、かつ、前記第一の磁性体膜と前記第三の磁性体膜との間のトンネル電流には、前記正のトンネル磁気抵抗効果とは異なる大きさのトンネル磁気抵抗効果が発生することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/12
