特許

J-GLOBAL ID：200903009095761553

半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293415
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124548
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 レーザ特性が良好で、製品歩留りを高くできる構成を備えた、端面発光型の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本レーザ素子30は、ストライプ状のリッジを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、n-InP基板1上に形成されたn-InPクラッド層2、活性層3、第1のp-InPクラッド層4、p-AlInAs層5、第2のp-InPクラッド層6、及びコンタクト層7からなる積層構造を備える。下部クラッド層の上層部、p-AlInAs層、上部クラッド層、及びコンタクト層は、リッジ32に形成されている。リッジの長手方向共振器端部では、リッジ幅W2 が、長手方向共振器中央部でのリッジ幅W1 より小さく、かつ、Alを含む半導体層がリッジ幅W2 にわたって全て酸化されてAl酸化層を形成し、電流ブロッキング領域として機能する。長手方向共振器中央部では、p-AlInAs層のリッジ側面部は、Al酸化層となっているものの中央領域は酸化されないp-AlInAs層のままになっていて、電気的に導体となっている。

請求項（抜粋）：

Al酸化層を有するストライプ状リッジの半導体積層構造を備え、Al酸化層により電流狭窄するようにした端面発光型の半導体レーザ素子において、リッジの長手方向共振器端部は、リッジ幅W2 がリッジの長手方向共振器中央部でのリッジ幅W1 より小さく、かつ、Alを含む半導体層がリッジ幅W2 にわたって全て酸化されてなるAl酸化層を有し、リッジの長手方向共振器中央部では、リッジの両側面部に設けられた、Alを含む半導体層を酸化してなるAl酸化層と、リッジの両側面部を除くリッジ中央領域に設けられ、Al酸化層に連続するAlを含む半導体層とからなる電流狭窄構造が形成されていることを特徴とする端面発光型の半導体レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA07 ,  5F073AA11 ,  5F073AA86 ,  5F073AA87 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073DA27