特許

J-GLOBAL ID：200903009102483238

ソース及びドレイン並びにそれらの間のギャップを規定するための方法

発明者： ブレース マルテン エイチ ,  ボエーメル メルセル アール
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-550274
公開番号（公開出願番号）：特表2005-521238
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

薄膜トランジスタのソース及びドレインを作る方法が開示されている。この方法は、基板上に単分子層のマスクを形成するステップ(106)を有する。このマスクは、金属層(108)の選択的無電解めっきのために使用される。従って、金属層は、単分子層が存在していない領域に成長できる。結果として、成長した金属層は、間にギャップ(このギャップの部分では、単分子層が被着を防止していた)を伴なうソース及びドレインを形成することができる。

請求項（抜粋）：

間にギャップを伴なう薄膜トランジスタのためのソース及びドレインを規定するための方法であって、 基板上に第1の金属層を被着するステップ、 マイクロコンタクトプリンティングによって前記第1の金属層の上に単分子層のマスクを形成するステップ、 前記単分子層によって覆われていない第1の金属層の領域に選択的に被着する第2の無電解金属層を被着するステップ、及び 前記単分子層、及び少なくとも前記単分子層によって覆われていた領域における前記第1の金属層を除去するステップ を有する方法。

IPC (6件)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/78 616K ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 E ,  H01L21/288 E ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28

Fターム (32件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06