特許

J-GLOBAL ID：200903009104001800

電力変換装置

発明者： 伊藤 睦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-142552
公開番号（公開出願番号）：特開2004-350360
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】動作保証温度がSi半導体素子よりも高い半導体素子を用いて冷却機構を簡素化し、また、制御部及び変換部間を分離して配置することにより、変換部から制御部へ伝わる熱を減少させた電力変換装置を提供する。【解決手段】フォトダイオードPD1〜PD6が接続されたトランジスタT1〜T6などのスイッチング素子として、動作保証温度範囲の上限温度がSi半導体素子よりも高い例えばSiC半導体素子を用いる。また、変換部30及び制御部20を例えば光ケーブルOL1〜OL6を用いて接続する。制御部20は、駆動信号を光信号に変換する信号変換部22,・・・,22を備え、信号変換部22,・・・,22で変換した光信号を、光ケーブルOL1〜OL6を用いて変換部30のフォトダイオードPD1〜PD6へ送信する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

スイッチング素子を用いて直流電力を交流電力に変換する変換部と、該変換部に駆動信号を出力して前記スイッチング素子を駆動制御する制御部とを備える電力変換装置において、 前記スイッチング素子は、Si半導体素子よりも動作保証温度範囲の上限温度が高い半導体素子であり、 前記制御部及び変換部は、制御部の温度が動作保証温度範囲を超えないように制御部が変換部から受ける発熱の影響を減少させる間隔を空けて配置されていることを特徴とする電力変換装置。

IPC (4件)：

H02M7/48 ,  B60L11/14 ,  H02M7/5387 ,  H02P7/63

FI (6件)：

H02M7/48 Z ,  H02M7/48 E ,  B60L11/14 ,  H02M7/5387 Z ,  H02P7/63 302C ,  H02P7/63 302D

Fターム (25件)：

5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007DB01 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H115PC06 ,  5H115PG04 ,  5H115PI16 ,  5H115PI22 ,  5H115PU01 ,  5H115PV09 ,  5H115PV23 ,  5H115UI27 ,  5H115UI31 ,  5H115UI38 ,  5H576AA01 ,  5H576BB06 ,  5H576CC02 ,  5H576DD02 ,  5H576HA02 ,  5H576HB01 ,  5H576PP02 ,  5H576PP03