特許

J-GLOBAL ID：200903009116785504

ドライエツチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114591
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 配線材料層上の絶縁層をエッチングする際に、下地のスパッタ生成物の再付着を防止する。【構成】 Al-1%Si層1上のSiO2 層間絶縁膜2を異方性エッチングし、ビアホール2aを90〜95%の深さまで形成した後、S2 Cl2 /H2 S混合ガスを用いて放電を行い、その側壁面上に選択的にS(イオウ)を堆積させてサイドウォール4を形成する。この後、SiO2 層間絶縁膜2の残余部2bを異方性エッチングする。途中、Al-1%Si層1が露出した時点でそのスパッタ生成物が側壁面へ付着する可能性があるが、上記サイドウォール4によりビアホール2aの断面形状が擬似的にテーパー化され、側壁面へもイオンが入射するため、再付着物層が形成されるには至らない。Sの代わりにポリチアジル(SN)x やSix Ny を堆積させても良い。

請求項（抜粋）：

配線材料層の上に形成された絶縁層に接続孔を開口するドライエッチング方法において、前記絶縁層を前記配線材料層の表面が露出する直前まで異方的にエッチングすることにより前記接続孔を中途部まで形成する工程と、放電解離条件下でプラズマ中に生成する堆積性物質を前記接続孔の側壁面上に堆積させ、該接続孔の断面形状を擬似的にテーパー化させる工程と、前記配線材料層の残余部を異方的にエッチングして前記接続孔を完成する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/90