特許
J-GLOBAL ID：200903009122722824
炭化珪素半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150392
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347548
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 絶縁破壊耐圧を向上させ、且つ、アバランシェ耐量を充分に大きな値とすることのできる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】 N型(第一導電型)の炭化珪素半導体基体1,2の第一主面上に形成されたP型(第二導電型)のベース領域3a〜3cと、該ベース領域3a〜3c内に形成されたN型のソース領域4a〜4cと、炭化珪素半導体基体1の一部に形成されたN型のドリフト領域2を有し、ベース領域3a〜3c上にゲート絶縁膜5a,5bを介してゲート電極が形成されたMOSFETにおいて、ゲート絶縁膜5a,5bが、N型の炭化珪素半導体基体と接する部分の一部が、他の部分に比べ薄く形成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第一導電型の炭化珪素半導体基体の第一主面上に形成された第二導電型のベース領域と、該ベース領域内に形成された第一導電型のソース領域と、前記炭化珪素半導体基体の一部に形成された第一導電型のドリフト領域を有し、前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されたMOSFETにおいて、前記ゲート絶縁膜が前記第一導電型の炭化珪素半導体基体と接する部分の一部が、他の部分に比べ薄く形成されることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 K
