特許

J-GLOBAL ID：200903009123579170

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小榑 直明 ,  本郷 明久
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189603
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015517
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 接合性に乏しいバリヤ層の上にも十分な接合力を持った導電線路を形成した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 基材1上に、拡散抑制層14に近接する導電線路22を有する構造を有する半導体装置において、該拡散抑制層と前記導電線路の境界に、窒素との反応性が高い元素を含む薄層である仲介層18,28が形成されている。

請求項（抜粋）：

基材上に、拡散抑制層に近接する導電線路を有する構造を有する半導体装置において、該拡散抑制層と前記導電線路の境界に、窒素との反応性が高い元素を含む薄層である仲介層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (40件)：

4M104BB04 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR04 ,  5F033XX13