特許

J-GLOBAL ID：200903009130602196

圧電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 山田 朗 ,  前田 智佐子 ,  宮下 章志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151754
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 弾性波の散乱を抑制し、電気損失及び特性劣化を抑制し得る圧電薄膜素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1の圧電体と第2の圧電体又は誘電体と電極とから構成される圧電体薄膜素子において、該第1の圧電体の表面上に第2の圧電体又は誘電体となる成分の溶液を塗布し、熱処理することにより、上記第1の圧電体とその上側に形成される電極との間に、第2の圧電体又は誘電体からなる中間平滑化層を形成する。第2の圧電体又は誘電体の表面の平均粗さは、上記第1の圧電体及び第2の圧電体並びに誘電体中で共振する弾性波波長の1/100以下である。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の圧電体と第2の圧電体又は誘電体と電極とから構成される圧電体薄膜素子において、上記第1の圧電体とその上側に形成される電極との間に、第2の圧電体又は誘電体からなる中間平滑化層が形成されてなることを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (6件)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17

FI (8件)：

H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

Fターム (8件)：

5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108GG03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02 ,  5J108MM01 ,  5J108MM08 ,  5J108MM11