特許
J-GLOBAL ID：200903009133535678
プラズマ処理装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322686
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162956
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】大面積で均一な高密度プラズマを容易に生成し得、かつ、装置の小型化が図れるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】内部に被処理物が保持され、プラズマが生成される処理室100と、処理室に設けられたマイクロ波導入部15a,15cに接続され、プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波管と、導波管の外周に設置され、導波管と処理室内の少なくとも一部で電子サイクロトロン共鳴磁場強度を有すると共に、導波管内でのマイクロ波の伝送方向に沿って磁場の向きが反転するカスプ磁場を形成する第1の永久磁石17a,17a′,17a′′と、処理室の周囲に互いに極性を変えて複数配置された第2の永久磁石17bとを備えたプラズマ処理装置であって、マイクロ波を発信する発信器が1つであり、発信器からのマイクロ波を導く導波管が処理室に複数本、例えば4本接続されている。
請求項（抜粋）：
内部に被処理物が保持されている処理室と、該処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記処理室内にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記導波管からのマイクロ波と磁場形成手段による磁場により前記処理室内にプラズマを生成して前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記マイクロ波を発信する発信器が1つであり、この発信器からのマイクロ波を導く前記導波管が処理室に複数本接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, C23F 4/00 G
, H01L 21/205
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 C
, H01L 21/302 B
