特許

J-GLOBAL ID：200903009137408107

リフローはんだ付け装置

発明者： 三階 春夫 ,  和田 正文 ,  福田 光男 ,  板垣 正人 ,  山間 伸也
出願人/特許権者： 日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318601
公開番号（公開出願番号）：特開平6-155010
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：

【要約】【目的】 供給ガスの消耗量が少なく、搬送された被処理物にすばやく応答し、良好なはんだ付け性を得ることができるリフローはんだ付け装置を提供する。【構成】 はんだを塗布した回路基板に電子部品を装着してなる被処理物18をコンベア7により予熱室1,2およびリフロー室3に搬送し、被処理物18に所望の濃度、温度の熱ガスを吹き付けて、はんだを溶融させてはんだ付けをする。被処理物検出器25により検出して装置内に被処理物18がない場合、処理装置26により貫流送風器9,13の回転数とガス流量調節弁23の開度を低減して、供給ガスの消耗量を低減するように制御する。

請求項（抜粋）：

はんだを塗布した回路基板に電子部品を装着してなる被処理物を、コンベアにて予熱室およびリフロー室を搬送し、これら両室通過中に前記被処理物に所望の濃度と温度の不活性熱ガスを吹き付けて予熱および本加熱を行なって前記はんだを溶融させ、前記リフロー室に続く冷却室ではんだを固化させて、前記電子部品を前記回路基板にはんだ付けするリフローはんだ付け装置において、前記被処理物が前記予熱室に搬入されることの信号を出力する手段と、前記被処理物に吹き付ける熱ガスおよび少なくとも前記リフロー室に供給するガスを制御する制御手段とを設け、この制御手段は、前記信号出力手段の出力信号に応じて、前記被処理物が搬入されていない状態では、熱ガス吹き付けおよびガス供給を低減させるようにしたものであることを特徴とするリフローはんだ付け装置。

IPC (3件)：

B23K 1/012 ,  B23K 1/008 ,  H05K 3/34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-322878
  
• 特開平4-013475
  
• 特開平2-263570
  
• 特開平4-200861