特許

J-GLOBAL ID：200903009139403145

半導体ウエハー裏面の研削方法

発明者： 山中 英雄 ,  監物 秀憲 ,  大久保 純三 ,  成松 治 ,  小松 和義
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  三井東圧化学株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082492
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 裏面研削後の粘着テープの剥離が容易で、しかも粘着剤の残り等のダストが少なく、その結果ワイヤボンディング不良やパッケージクラック不良がなく、半導体ウエハーの生産及び品質を向上させることが可能な半導体ウエハー裏面の研削方法を提供することである。【構成】 ミラーウエハー上に転着する0.2μm以上の異物量が500個以下/10000mm2 で、かつ該ウエハーに対する粘着力が100〜300g/25mmであるアクリル系樹脂粘着剤をポリプロピレン又はポリエステルとエチレン酢酸ビニル共重合体の複層体よりなる基材フィルムのエチレン酢酸ビニル共重合面に設けてなる粘着テープを半導体ウエハーの表面に貼付けて該ウエハー裏面を機械研削及び化学研削を行う。

請求項（抜粋）：

ミラーウエハー上に転着する0.2μm以上の大きさの異物量が500個以下/10000mm2 で、かつ該ウエハーに対する粘着力が100〜300g/25mmであるアクリル系樹脂粘着剤をポリプロピレン又はポリエステルとエチレン酢酸ビニル共重合体の複層体よりなる基材フィルムのエチレン酢酸ビニル共重合体面に設けてなる粘着テープを半導体ウエハーの表面に貼付けて該ウエハー裏面を機械研削及び化学研削することを特徴とするウエハー裏面の研削方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  C09J 7/02 JHR ,  C09J 7/02 JJA ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 331

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-171627