特許
J-GLOBAL ID：200903009145983587
III族窒化物結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313097
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 III族窒化物結晶を混合融液の表面に浮かせて成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物結晶が大きく成長しても混合融液中に沈まないようにして、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を成長させる。【解決手段】 反応容器11内で、アルカリ金属(例えば、Na)と少なくともIII族金属を含む物質(例えば、Ga)とが混合融液24を形成し、該混合融液24と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物26(例えば、GaN)を結晶成長させるときに、混合融液24には、結晶成長するIII族窒化物26の密度よりも大きい密度のものを用いるようにしている。
請求項（抜粋）：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、前記混合融液には、結晶成長するIII族窒化物の密度よりも大きい密度のものを用いることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CC10
, 4G077EC08
, 4G077HA02
, 4G077HA12
