特許

J-GLOBAL ID：200903009148205496

インジウム含有ウエハおよびその製造方法

発明者： 田中 聡 ,  岩▲崎▼ 孝
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215456
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063491
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀C-V法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。また、本発明にかかるインジウム含有ウエハの製造方法は、上記水銀除去層の表面に付着させた水銀を電極として、該ウエハの電気特性を評価した後、該水銀除去層を除去することにより表面に付着した水銀を除去することを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とするインジウム含有ウエハ。

IPC (3件)：

H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L31/10

FI (3件)：

H01L21/66 L ,  H01L21/02 Z ,  H01L31/10 Z

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA12 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-340508   出願人：三菱電機株式会社