特許

J-GLOBAL ID：200903009150422178

直列接続されたパワー半導体用の保護回路

発明者： ビュレンガ,ボ
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-526200
公開番号（公開出願番号）：特表平11-501198
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：

【要約】任意の個数のパワー半導体(T1,D1)の直列接続中にあって、直列接続されたパワー半導体(T1,D1)のチェーン(P1,...PN)中の1個のパワー半導体両端に過電圧が生ずる危険性を減ずるための、過渡現象保護タイプの過電圧保護装置(SK)であって、ここにおいて、前記過電圧保護装置(SK)は少なくとも1個のコンデンサー(C)を含んでおり、また前記過電圧保護装置(SK)はパワー半導体(T1,D1)両端の電圧が指定された電圧レベル(Vprot)を越えた時に駆動されるようになっており、それによって、前記コンデンサー(C)の仕事が、前記パワー半導体両端の電圧が指定された電圧レベル(Vprot)を越えた時に、前記パワー半導体両端の電圧の時間微分(dVCE/dt)を制限することである、過電圧保護装置(SK)。本過電圧保護装置はチェーン中の個々のパワー半導体両端の余りに大きな電圧成長を制限する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの直列接続されたパワー半導体(T1,T2,...D1,D2,...)を含む半導体接続であって、ここにおいて、個々のパワー半導体が、少なくとも1つの過電圧保護装置(SK)によって過電圧から保護されており、前記過電圧保護装置(SK)が少なくとも1個のコンデンサー(C)を含むこと、および前記過電圧保護装置が限定された電圧レベル(Vprot)において駆動されることを特徴とする半導体接続。

IPC (4件)：

H02H 9/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H02M 1/08 341

FI (3件)：

H02H 9/04 A ,  H02M 1/08 341 A ,  H01L 27/04 H