特許

J-GLOBAL ID：200903009152771021

多接合光電デバイスおよびその製造法

発明者： ラジーワ ラシュミカント アーヤ ,  アンソニー ウィリアム カタラノ
出願人/特許権者： アモコ・コーポレイシヨン
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151916
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 デバイスの発電を制限しない特性を示すトンネル接合を隣接セル間に有するアモルファスシリコン多接合光電デバイスを提供すること、及び、製造工程を実行するに当たって付加的な設備や時間を必要とせずに形成できるトンネル接合を隣接セル間に有するアモルファスシリコン多接合光電デバイスを提供すること。【構成】 多接合光電デバイス200は積層された第1と第2のアモルファスシリコンからなるPIN光電池210および212を含む。ドープされたシリコン化合物からなるインターフェース層240をこれら2つの光電池間にデポジットし、第1と第2の光電池の隣接n型及ひp型層よりも低いバンドギャップをもたせる。該インターフェース層は同じ導電型の隣接セル層の一方とオーミック接触を形成し該隣接セル層の他方とトンネル接合を形成する。開示されたデバイスは、グロー放電法で組み立て製造する。

請求項（抜粋）：

第1の光電池と、第2の光電池と、シリコン含有半導体化合物からなるインターフェース層とを含み、前記第1の光電池はそれぞれ異なる導電型をもつ水素添加アモルファスシリコンからなる複数の第1セル層を有し、該複数の第1セル層は積層配置されていて第1のバンドギャップをもつ底面層を含み、該底面層は第1導電型のドープ剤でドープ処理されており、前記第2の光電池はそれぞれ異なる導電型をもつ水素添加アモルファスシリコンからなる複数の第2セル層を有し、該複数の第2セル層は積層配置されていて第2のバンドギャップをもつ上面層を含み、前記上面層は前記第1導電型と反対の第2導電型のドープ剤でドープ処理されており、前記インターフェース層は前記第1及び第2のバンドギャップより小さな第3のバンドギャップを有するとともに前記第1光電池の底面層と前記第2光電池の上面層との間に該底面層および上面層に接触するように配置されてなる、多接合光電デバイス。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-234379
  
• 特開昭63-003471
  
• 特開昭56-112764