特許
J-GLOBAL ID：200903009165563061
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236801
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191647
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【目的】 従来、反強磁性層として使用されていたNiMn合金の場合、固定磁性層(例えばNiFe合金)との界面構造を整合状態としておいても、適性な交換異方性磁界を得ることができるが、NiMn合金よりも優れた反強磁性材料である白金族元素を用いたX-Mn合金の場合、固定磁性層との界面構造を整合状態とすると、交換異方性磁界を得ることができないという問題点があった。【構成】 反強磁性層4はX-Mn(Xは白金族元素)で形成され、Xの組成比が適性に調節されることにより、固定磁性層3との界面構造は非整合状態にされている。従って熱処理を施すことにより、前記反強磁性層4の結晶構造が変態し、大きな交換異方性磁界を得ることができるので、従来に比べてより再生特性を向上させることが可能である。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、熱処理が施されることにより、前記反強磁性層と強磁性層との界面にて交換異方性磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向に固定される交換結合膜において、前記反強磁性層は、少なくとも元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうちいずれか1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面構造が、非整合状態にあることを特徴とする交換結合膜。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
