特許
J-GLOBAL ID：200903009166285677
プラズマCVD装置及びプラズマCVDによる膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046310
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041758
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 例えばDLC膜等を、均一に、大面積で、高速に合成でき異常放電が少なく安定に作動するプラズマCVD装置及び膜の製造方法を提供する。【構成】 図1は本発明を用いた、磁気テープの磁性層の表面上に保護膜としてDLC膜を形成するための装置の構成図である。巻回された磁気テープ8は、巻出しローラー5より巻出され、円筒状のキャンローラー3の表面に沿って走行し、巻取りローラー4に巻取られる。また、電気的に接地されたローラ6は、磁気テープ8の磁性層に接触して、磁性層を電気的に接地している。キャンローラー3と同一曲率のガス流出口9を備えたプラズマ発生管2を、ガス流出口9とキャンローラー3の表面との距離がガス流出口9の全域にわたってほぼ均一に且つ十分に接近して設置する。【効果】 ガス流出口9におけるプラズマガス圧が十分に高まると共にガス流状態が均一となり、高品位の薄膜を高速で形成できる。
請求項（抜粋）：
その表面に膜の形成が行われる基体を内包する第1の真空容器と、前記基体に形成される膜の元素成分を含む原料ガスの導入口及び前記原料ガスのプラズマガスを流出するプラズマガス流出口を有する第2の真空容器と、前記原料ガス導入口より前記第2の真空容器内に導入された前記原料ガスを前記第2の真空容器内でプラズマ化するプラズマ発生手段を有するプラズマCVD装置であって、前記第2の真空容器の前記プラズマガス流出口は、前記基体の膜形成面に整合する形状に形成し、前記第2の真空容器は、前記プラズマガス流出口が、前記基体の膜形成面に間隙を設けて対向するように、前記第2の真空容器の前記プラズマガス流出口を前記第1の真空容器内に挿入されており、かつ、前記プラズマガス流出口と前記基体の膜形成面との間の間隙は、プラズマガス流出口より流出し前記間隙部に存在するプラズマガスのガス圧が、前記間隙部の周縁部を除く各部においてほぼ均一となるように十分狭く設定されており、更に、前記間隙部におけるプラズマガス中のイオンを前記基体の方向に向かわせる電界発生手段を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C23C 16/44
, C23C 16/54
, G11B 5/84
