特許

J-GLOBAL ID：200903009166969630

双方向性半導体スイッチング素子

発明者： 田上 三郎
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083544
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297384
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】pnpnpの五層からなり、両外側のpn二層をそれぞれ短絡する二つの主電極を有する、サージアブソーバ用の双方向性半導体スイッチング素子のサージ破壊耐量を向上させる【構成】第一p層1の上の第一n層2の、第一n層2が主電極10で短絡されている側に近い部分に第一p層1より深いp型拡散領域11を形成するなどして高抵抗領域14を設ける。npnトランジスタ12の電流による高抵抗領域14での電位降下が大きく、相対的に第一p層1の直上の第一n層2内の電位分布が均一になり、サイリスタa13導通時の電流密度分布が均一になり、サージ破壊耐量が向上する。第一p層1のアクセプタ型不純物濃度を、第一n層2の電極短絡部から離れる程高濃度にする方法もある。不純物濃度が高い部分のビルトイン電位差が大きくなって、サイリスタ13導通時の電流密度分布が均一になる。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体の第三層の上下に第二導電型半導体の第四層および第二層を有し、その第二層と第四層の第三層と接する面の反対側の表面層の一部にそれぞれ第一導電型半導体の第一層と第五層を形成し、第一層と第二層の表面に共通に接触する第一電極と、第五層と第四層の表面に共通に接触する第二電極とを有するものにおいて、第一電極が第二層に接触している部分に近い、第一層上の第二層部分に、第二層内を流れる電流に対して第二層の他の領域より高抵抗領域を、第二電極が第四層に接触している部分に近い、第五層下の第四層部分に、第四層内を流れる電流に対して高抵抗領域を設けたことを特徴とする双方向性半導体スイッチング素子。