特許

J-GLOBAL ID：200903009169663206

レーザを用いたプラズマ化学エッチング装置および方法

発明者： エフィム・バクーマン ,  エドワード・エム・ケラー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127647
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306673
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 最終表面品質が高く非常に薄く均一な半導体基板が得られる、レーザを用いたプラズマ化学エッチング装置および方法を提供する。【解決手段】 走査可能なレーザおよび制御部(58)を用いて、下流エッチングの間、半導体基板(40)の部分に示差的加熱処理を施す。かかる示差的加熱によって、各加熱部分に異なるエッチング速度が得られるので、均一性が改善され、エッチングによって発生する表面の損傷が減少する。下流プラズマを収容し、基板(40)と走査可能なレーザ部(58)との間に直接視線を設定可能なエッチング・チャンバ(50)を備える。加えて本システムは、適宜エッチング速度および温度を測定することによって、動的なプロセス更新を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板(40)から物質を除去して前記半導体基板(40)を薄層化および平滑化する方法であって:前記半導体基板(40)の厚さの均一性を測定する段階;エッチング・チャンバ(50)内に前記半導体基板(40)を配置する段階;前記半導体基板(40)の局所部分に選択加熱を施し、前記半導体基板(40)においてより厚い局所部分を薄い局所部分よりも高い温度にする段階;および前記半導体基板(40)を所定の厚さにエッチングする段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/00

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 Z ,  H01S 3/00 B